主要规格和技术参数
1 系统具备4个高精度源测量单元（SMU）单元，
技术指标：1.1 数量为4个；4个SMU的电流测量分辨率均至少为0.1 fA；测量精度均至少为30fA；最大直流电流1A，最大脉冲电流3A；
1.2第1个SMU的电流测量范围不低于30 fA -1A；
1.3第2个SMU的电流测量范围不低于30 fA -1A；
1.4第3个SMU的电流测量范围不低于30 fA -1A；
1.5第4个SMU的电流测量范围不低于30 fA -1A；
2. 4个SMU的最大输出电压源200V，最小电压测量分辨率0.1uV；
3.最大直流功率20W，最大脉冲功率480W，脉冲模式下的最短脉冲宽度50us；3. 系统可配备模型参数提取软件；
4. 系统后期可扩充1/f低频噪声测试模块；
5. 半导体参数分析仪主机含嵌入式PC： Windows 7操作系统，图形化全套测试软件，可以外接显示器；
主要功能及特色
对纳电子器件的源-漏电极的电流-电压响应及门压-电流响应进行高精度-高速表征，进一步获取器件的电阻、迁移率、载流子浓度等信息
主要附件及配置
6. 测试软件要求：
6.1简单易用：仅需点击鼠标即可完成器件测量；
6.2提供样板测量例程，提供绝大多数器件测量例程：MOSFET，双极器件，晶体管器件，晶体管电容器，电阻器，二极管等。
6.3 参数建模软件：参数建模软件需要最新的优化算法，易于编程，同时可以装在测试仪上，能够实现从测量到提取的无缝化链接。
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